【覓跡尋蹤潛力股】三星zHBM與3D儲存革命,迎來致新架構連動商機?
《覓跡尋蹤潛力股"致新"系列》 三星zHBM與3D儲存革命,迎來致新架構連動商機? 三星2026年最新zHBM、400層V10 NAND與LPDDR5X-PIM代表AI硬體架構正在發生一場從2D到3D終極堆疊的物理革命。許多投資人看到記憶體直接堆疊在加速器上(zHBM)或是記憶體內部直接運算(PIM),會直覺以為傳統的插槽式記憶體(DIMM)與獨立電源IC會被消滅。大錯特錯!這反而是對*致新*高階類比晶片發出的(最高級別徵召令)!在半導體物理學鐵律:極致的3D堆疊與極限的速度,必然伴隨著極端的散熱崩潰與瞬態電流深淵。將三星2026記憶體終極革命,與致新/瀾起聯名三大配套核心晶片(以及致新的散熱大軍),進行最深度(架構連動與商業變現)解碼。 【三星zHBM與3D儲存革命:致新架構連動與受惠商機】 三星電子發表zHBM(直接堆疊於加速器上)、400層V10 BV-NAND與LPDDR5X-PIM,宣告了AI晶片進入了(終極封裝)時代。這場革命對致新與瀾起共同開發**M88P5000、M88P5010、M88TS5110**以及致新全系列散熱防護IC,產生了極度強烈的(互補與拉抬效應): ㊀ 三星次世代記憶體與致新晶片的(三大絕對關聯性)= ⓵ 關聯一 (zHBM容量有限 ➔ MRDIMM成為海量供血庫(M88P5000剛需): ➊ 物理現實:zHBM雖然速度是HBM5的8倍,但因為直接堆疊在GPU上,物理容量極度受限(無法無限制往上疊)。 ➋ 架構連動:AI巨型模型動輒數TB,zHBM只能作為(超高速L4快取)。為了餵飽這隻速度快8倍的怪獸,主機板上必須配置數量更龐大、頻寬極限的MRDIMM / LRDIMM作為主記憶體池。 ➌ 致新商機:外部的MRDIMM必須以最高頻率狂抽猛送資料給zHBM,這導致MRDIMM模組的耗電量與發熱量飆上歷史新高。這使得高電流版M88P5000(PMIC)與M88TS5110(溫度感測器)成為唯一能撐住這種極端抽載的配套方案,需求量跟著zHBM系統的問世而呈現(*乘數級爆發*)。 ⓶ 關聯二 (運算記憶體化(PIM) ➔ 催生*運算級*的高電流供電): ➊ 物理現實:三星的LPDDR5X-PIM(Processing-in-Memory)讓記憶體內部直接執行AI運算。 ➋ 架構連動:記憶體不再只是被動儲存,它變...