【覓跡尋蹤潛力股】全球DRAM產能擠壓與長鑫存儲突圍:LPDDR6革命、HBM排擠效應,連帶致新 × 瀾起科技戰略商機?
《覓跡尋蹤潛力股"致新"系列》 全球DRAM產能擠壓與長鑫存儲突圍:LPDDR6革命、HBM排擠效應,連帶致新 × 瀾起科技戰略商機? 中國最大DRAM廠長鑫存儲最新情報,是半導體記憶體產業最具震撼力的分水嶺事件: ⓵ 技術逆襲: 長鑫存儲量產12,800 Mbps的 LPDDR6,超越JEDEC 10.7 Gbps基準,並由小米折疊旗艦機首發,打破了過去中國記憶體落後國際兩到三代的刻板印象。 ⓶ 市佔突破兩位數: 全球DRAM市佔率飆升至10%(持續攀升),產能利用率95%且訂單排至2027年。 ⓷ 結構性短缺下的巨頭倒戈: 國際三大廠(三星、SK 海力士、美光)全力將產能轉移至利潤極高的NVIDIA HBM產線,導致標準型與行動型DRAM陷入長週期嚴重短缺,逼得Apple、惠普、Acer不得不將長鑫存儲納入核心供應鏈考量。 ⓸ HBM3E送樣突破: 向阿里巴巴平頭哥(T-Head)與寒武紀送樣認證,展現進軍AI算力核心的企圖心。然而,絕大多數市場投資人只看到長鑫存儲的崛起,卻忽視了隱身其後、掌控記憶體模組命脈的(影子贏家)——致新與瀾起(Montage)。 ㊀ 核心重點= ⓵ 技術跨代突破: 長鑫存儲宣布量產傳輸速率高達12,800 Mbps的LPDDR6(採16Gbps單晶晶片、1295焊球封裝),遠超JEDEC 10.7 Gbps基準值,由小米18 Fold折疊機首發,創下中國記憶體廠首次與國際巨頭平起平坐量產次世代行動記憶體的歷史紀錄。 ⓶ 全球份額跨越雙位數拐點: 長鑫存儲全球DRAM市佔率拉升至10%(持續攀升),產能利用率高達95%,訂單能見度已排至2027年;同時啟動HBM3E風險試產並送樣阿里平頭哥與寒武紀,躋身AI算力討論核心。 ⓷ HBM產能排擠引發長週期結構性短缺: 三星、SK海力士與美光將晶圓產能大舉轉向NVIDIA HBM供應鏈,使標準型DRAM與Mobile LPDDR出現巨大供需缺口。Apple、HP、Acer的採購轉向,印證了長鑫存儲已從國產替代選配轉變為全球供應鏈必配。 ⓸ 致新與瀾起迎來超級紅利: ➊ LPDDR6 SOCAMM2供電革命:12,800 Mbps的超高頻寬伴隨極端電源雜訊,記憶體型態正由傳統焊接轉向SOCAMM2微型模組。致新年報已正式揭露其佈局AI Server LPDDR6 SO...