【覓跡尋蹤潛力股】受惠於AI模型推論與RAG對資料吞吐的海量需求，TrendForce指出Enterprise SSD正處於嚴重供不應求，連帶致新伺服器儲存配套電源、風扇馬達驅動與溫感晶片產品線佈局?
《覓跡尋蹤潛力股"致新"系列》受惠於AI模型推論與RAG對資料吞吐的海量需求，TrendForce指出Enterprise SSD(企業級固態硬碟)正處於嚴重供不應求，連帶致新伺服器儲存配套電源、風扇馬達驅動與溫感晶片產品線佈局? 在AI伺服器高密度儲存托盤與機箱散熱風道中，致新並非供應NAND Flash或主控制器，而是透過三大關鍵類比產品家族，大量切入廣達(雲達)、緯穎、英業達、鴻海等伺服器ODM廠的公版物料清單(AVL)：⓵ 應用領域-高階伺服器散熱風扇驅動IC：致新核心產品系列與型號-G2992 / G2996 / G2997 / G2998系列(三相 / 單相BLDC馬達驅動)。關鍵規格與技術特點 ➊ 支援12V至48V高壓輸入。➋ 內建180°正弦波無感測FOC演算法。➌ 具備極低轉矩漣波與防震降噪功能。伺服器儲存系統中的實際作用=驅動1U/2U儲存伺服器前方抽換式風扇牆(15,000+ RPM)，提供極限風壓帶走Enterprise SSD(企業級固態硬碟)密集寫入時的積熱。⓶ 應用領域-高精度數位溫度感測IC(TS)：致新核心產品系列與型號-G781 / G784 / G786 / G788系列(遠端二極體 / 本地溫度監控)。關鍵規格與技術特點 ➊ 支援 SMBus / I2C / I3C高速通訊介面。➋ 測溫精準度達±0.5°C ∼±1.0°C。➌ 具備過溫中斷(Alert警示/Therm過熱)極速觸發。伺服器儲存系統中的實際作用=貼近Enterprise SSD(企業級固態硬碟)顆粒與主控晶片，即時回傳熱通量至伺服器BMC，動態調節風扇轉速以防熱節流。⓷ 應用領域-儲存背板降壓轉換器(Buck DC-DC)：致新核心產品系列與型號-G51xx / G56xx / G57xx系列(高效率同步降壓晶片)。關鍵規格與技術特點 ➊ 4.5V–28V寬電壓輸入，輸出電流3A–12A。➋ 超快瞬態響應。➌ 高開關頻率(減小電感體積)。伺服器儲存系統中的實際作用=將儲存背板12V主電源轉換為SSD所需的3.3V、1.8V、1.1V輔助電壓，維持低雜訊供電。⓸ 應用領域-智慧電子保險絲(e-Fuse)與斷電保護(PLP)：致新核心產品系列與型號-G289x / G501x系列(負載開關 / 智慧熱插拔保護)。關鍵規格與技術特點 ➊ 整合低導通電阻MOSFET。➋ 微秒級過流/過壓/反向電流硬體保護。➌ 支援熱插拔浪湧電流抑制。伺服器儲存系統中的實際作用=用於 EDSFF(E1.S / E3.S)儲存槽位熱插拔保護，並在突發斷電時配合電容陣列執行斷電保護(PLP)，防止資料遺失。㊀ 產業鏈(維持AI資料中心海量資料吞吐不掉速、供電不中斷、散熱不熱衝的底層硬體網絡)= ⓵ 上游(特種晶圓製造、NAND晶圓與控制IP)：➊ NAND Flash晶圓：三星、SK海力士/Solidigm、美光、鎧俠、長江存儲。➋ SSD主控設計：群聯、慧榮、Marvell。➌ 特種晶圓代工：台積電、世界先進、聯電(提供8/12吋成熟高壓BCD製程)。⓶ 中游(模組整合、儲存背板製造與類比配套中樞)：➊ 配套晶片大腦：散熱與溫控：ⓐ 致新(風扇驅動 + G78x溫感IC)。ⓑ 電源與保護：致新(Buck DC-DC + e-Fuse/負載開關)。➋ 模組與背板SMT：Enterprise SSD模組=Solidigm、三星、美光、宜鼎、威剛。➌ 伺服器儲存背板SMT：廣達(雲達)、緯穎、鴻海、英業達。⓷ 下游(伺服器系統整合與終端算力中心)：➊ AI伺服器 / 儲存機櫃ODM：廣達、緯穎、美超微、工業富聯(FII)。➋ 終端算力買單者(CSP)：微軟(Azure)、AWS、Google Cloud、Meta、Oracle Cloud。(*補充篇*) ⓸ 上游(核心儲存介質與晶圓代工)：NAND Flash原廠提供高層數(200+ Layer)3D NAND裸晶；台積電/世界先進提供成熟高壓BCD製程代工致新的電源與風扇控制晶片。⓹ 中游(模組製造與儲存背板整合)：Enterprise SSD控制器與致新的電源/溫測/風扇晶片在儲存托盤上完成高頻PCB打件與訊號整合。⓺ 下游(整機系統與雲端平台)：伺服器ODM廠組裝為1U/2U高密度儲存伺服器，部署至北美四大CSP雲端資料中心。㊁ 核心護城河= 電源/散熱晶片廠(致新)在伺服器儲存配套領域構築的壁壘具備高度排他性：⓵ 斷電保護(PLP)與極限瞬態調壓技術壁壘：➊ Enterprise SSD(企業級固態硬碟)在高頻讀寫AI訓練Checkpoint時，瞬間抽載電流變化極大(High di/dt)。致新的Buck轉換器具備微秒級極速調壓能力，能在電壓瞬降時維持輸出穩定。➋ e-Fuse 整合開關能在主機突發斷電時，於數十微秒內隔離輸入並切換至備援電容供電，確保快取資料完全寫入NAND，避免資料損毀。⓶ 長週期相容性驗證與高轉換成本：➊ 伺服器儲存背板與Enterprise SSD(企業級固態硬碟)需歷經6–9個月通過Intel/AMD伺服器平台、PCIe 5.0/6.0訊號完整性(SI)及CSP壓力測試。➋ 零組件一旦寫入ODM廠的合格供應商清單(AVL)與固定物料清單(Fixed-BOM)，在該伺服器架構3–5年的生命週期內，客戶絕不因微小價差進行料件替換。⓷ 電源 + 溫控 + 散熱風扇驅動的一站式 Turnkey生態壁壘：致新兼備周邊 Buck/LDO、e-Fuse、溫度感測(TS)與三相馬達驅動IC。系統廠可直接採用整套周邊方案，大幅減少跨廠商晶片通訊衝突與除錯時間。㊂ 市場天花板= 受AI訓練資料集膨脹、推論檢索增強(RAG)普及與Enterprise SSD(企業級固態硬碟)供不應求推升，市場規模呈現高速擴張：⓵ 評估全球Enterprise SSD(企業級固態硬碟)總體市場(TAM)：2026年現況280億美元。2029年預估(未來3年)550億~650億美元。核心驅動力與關鍵指標=AI訓練Checkpoint寫入容量倍增，PCIe Gen5/Gen6滲透率攀升。⓶ 評估伺服器儲存背板專用電源/保護/溫控IC TAM：2026年現況6.5億美元。2029年預估(未來3年)15億~18億美元。核心驅動力與關鍵指標=單台AI伺服器支援8–24盤 EDSFF(E1.S/E3.S)，專用電源晶片數量倍增。⓷ 評估伺服器高階風扇/水泵驅動IC TAM：2026年現況8.5 億美元。2029年預估(未來3年)18億~22億美元。核心驅動力與關鍵指標=單機櫃功耗攀升，散熱風道與微型水泵馬達晶片出貨量激增。⓸ 評估儲存配套電源與散熱晶片複合年成長率(CAGR)：2029年預估(未來3年)30%~38%(高速成長)。核心驅動力與關鍵指標=伴隨AI伺服器與Enterprise SSD(企業級固態硬碟)擴產迎來長線拉貨潮。PCIe Gen5 Enterprise SSD全面由傳統U.2轉向EDSFF(E1.S / E3.S)形態，致新專用微型Buck DC-DC與智慧e-Fuse在伺服器儲存背板中的單機搭載量與滲透率為何? 【AI伺服EDSFF次世代儲存架構與致新類比電源滲透率解析】AI伺服器次世代EDSFF(E1.S / E3.S)儲存背板專用微型Buck DC-DC、智慧e-Fuse產業，致新單機價值量與滲透率展望：隨著PCIe Gen5/Gen6 Enterprise SSD全面由傳統2.5吋U.2/U.3轉向EDSFF(E1.S / E3.S)高密度形態，伺服器儲存背板的電源設計由集中式全面轉為每槽位獨立分散式供電與熱插拔防護。㊀ 產業鏈(維持AI叢集高吞吐讀寫下，儲存背板微型化供電、熱插拔安全與低散熱熱阻的供血神經網絡)= ⓵ 上游(特種高壓製程與超薄封裝)：晶圓代工廠提供具備極低導通電阻的成熟BCD製程；封測廠需提供高度低於0.75mm的微型QFN封裝，以容納於厚度僅5.9mm–9.5mm的E1.S空間。⓶ 中游(類比設計與背板打件)：致新提供點負載(Point-of-Load, PoL)微型Buck與e-Fuse，由台系ODM廠將數十組電源迴路高密度打件於多層背板PCB上。⓷ 下游(整機系統與雲端資料中心)：伺服器ODM廠組裝為1U/2U高密度儲存伺服器，直接出貨予北美四大CSP與中國大型雲端服務商。㊁ 核心護城河 = 致新能在EDSFF儲存背板領域突圍並擴大市佔，主要建立在三大深厚壁壘：⓵ 極致空間壓縮與瞬態電氣安全技術壁壘：➊ 超微型尺寸與散熱：EDSFF E1.S模組間距極窄，背板PCB空間被壓縮40% 以上。致新整合功率MOSFET與驅動線路，實現極小腳位且散熱效率優異的封裝。➋ 熱插拔湧浪電流微秒級抑制：伺服器運行中抽換SSD會產生數十安培的破壞性電弧與湧浪電流。致新的智慧e-Fuse能精確控制輸出電壓上升斜率，並在微秒內完成過流/短路隔離，杜絕相鄰槽位電壓驟降。⓶ 長週期伺服器驗證與零容錯轉換成本：➊ 儲存背板需通過PCIe 5.0/6.0嚴苛的訊號完整性(SI)、電源完整性(PI)模擬以及CSP雲端客戶6–9個月的滿載壓力測試。➋ 背板電源一旦失效，將導致整組Enterprise SSD(企業級固態硬碟)掉盤或快取資料損毀。客戶一旦將致新晶片寫入合格供應商清單(AVL)並完成洗板，在該伺服器架構3–5年生命週期內，絕不因數美分價差更換料件。⓷ 台系ODM深度協同與在地FAE敏捷服務：全球80%以上的AI伺服器儲存背板由廣達、緯穎、鴻海等台廠設計組裝。相較於歐美IDM巨頭，致新具備24小時內駐點協助除錯與修改參數的敏捷優勢，能大幅縮短客戶新機上市時間。㊂ 市場天花板= 在AI訓練資料集膨脹、推論檢索增強(RAG)普及，以及EDSFF規格全面取代U.2的推升下，市場迎來結構性大擴張：⓵ 市場細分維度-全球 Enterprise SSD(企業級固態硬碟)總體市場：2026年現況280億美元。2029年預估(未來3年)550億 ~650億美元。核心驅動力與關鍵指標= ➊ PCIe Gen5/Gen6滲透率自 2026年跨過50%門檻。➋ 單機櫃儲存容量由Petabyte級向Exabyte級演進。⓶ 市場細分維度-伺服器儲存背板專用電源/e-Fuse TAM：2026年現況6.5億美元。2029年預估(未來3年)15億 ~18億美元。核心驅動力與關鍵指標= ➊ EDSFF使得單機槽位數倍增至16~32盤。➋ 每盤強制標配獨立e-Fuse與PoL降壓晶片。⓷ 市場細分維度-儲存背板電源晶片市場複合年成長率(CAGR)：2029年預估(未來3年)-35%~42%(陡坡成長)。核心驅動力與關鍵指標=形態轉換(U.2→EDSFF)帶動晶片用量倍數放大。㊃ 總結論= EDSFF形態的普及對致新而言是一場(*乘數級的規格紅利*)。過去在U.2時代，一台伺服器僅需少數幾顆集中式電源晶片；而在EDSFF時代，每台伺服器需要16至 32顆獨立e-Fuse與16至32顆微型Buck。單機價值量直接暴增3到4倍，且享有近50% 的高毛利率。結合致新在AI伺服器記憶體(DDR5 PMIC)、高階散熱(三相風扇/微型水泵驅動)以及車用(Zonal e-Fuse)的全面開花，致新已從PC景氣循環股，結構性蛻變為手握多項高黏著度高階類比王牌的獲利成長型企業。另外，致新公告115年(2026H1)EPS9.13元，預估115年(2026)全年每股盈餘EPS有望挑戰2個股本(20元以上），主要受惠於AI帶動的PMIC缺貨潮以及致新董事長公開宣布(產品供不應求、陸續漲價、不排除二次漲價)時，這是一個非常強烈的轉折訊號。關於致新 https://www.gmt.com.tw/ 專精於類比IC(Analog IC)設計，核心產品為電源管理IC(PMIC)。依據2025 ~2026的營收結構，⓵ 應用領域：❶ 運算裝置(32%)：包含筆記型電腦(NB)、個人電腦(PC)、伺服器(Server)及儲存裝置。這是目前成長最快、含金量最高(如 DDR5 PMIC)的區塊。❷ 面板相關(Panel控制板31%)：提供TFT-LCD、OLED面板所需的電源管理方案。❸ 電視(TV 14%)：針對電視主板與顯示面板的供電設計。❹ 馬達驅動與周邊裝置(23%)：包含散熱風扇驅動 IC(AI伺服器散熱關鍵)、網通、車用及代理(類比科營收貢獻)。⓶ 市場地位與市佔率：❶ 筆電與個人電腦：致新在PC/NB供應鏈的滲透率極高，幾乎全球主要的ODM廠(廣達、仁寶、緯創等)都是長期客戶。在特定電源轉換元件上的全球市佔率估計達15%以上。❷ DDR5 PMIC：隨著DDR5在2026年全面普及，致新憑藉著通過三大記憶體原廠(三星、美光、海力士)驗證的優勢，在DDR5模組端PMIC的市佔率正快速爬升。❸ 伺服器風扇驅動：在AI伺服器高轉速風扇驅動IC市場，致新與子公司類比科合計擁有相當競爭力，是高階散熱方案的重要供應夥伴。關鍵見解：看致新不能只看單月營收，要看它的產品組合。2026年致新已經成功轉向高單價的伺服器與DDR5領域。關注官網產品目錄，發現它在多相供電(Multi-phase)與高效率DC-DC轉換器的品項正大幅增加，這正是毛利率能站穩40%的關鍵硬實力。總結：致新是台灣類比IC的領頭羊，在PC領域有絕對市佔，在伺服器與DDR5領域則正處於高成長的紅利期。後續值得追蹤留意。PS特別提醒:本分享文僅供參考，不具投資建議，請自行判斷買賣時機與承擔風險，並自負盈虧。